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CEL 瑞萨电子株式会社

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
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状态： 在售
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品牌： CEL复制 CEL 瑞萨电子株式会社
描述： FET RF 4V 4GHZ M04
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替代：
频率：4GHz
增益：16dB
电压 - 测试：2V
额定电流：97mA
功率 - 输出：-
电压 - 额定：4V
丝印：
外壳：
封装：M04
料号：JTG9-285
包装：
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现货库存:0
可供数量:咨询
个
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状态： 在售
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品牌： CEL复制 CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF MOSFET PHEMT FET 2V
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替代：
频率：12GHz
增益：12.2dB
电压 - 测试：2V
额定电流：68mA
功率 - 输出：125mW
电压 - 额定：4V
丝印：
外壳：
封装：
料号：JTG9-286
包装：
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可供数量:咨询
个
咨询客服
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状态： 在售
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品牌： CEL复制 CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
参数： 晶体管类型:HFET *频率:4GHz *增益:16dB *电压 - 测试:2V *额定电流:97mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:15mA *功率 - 输出:- *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET *频率:12GHz *增益:12.2dB *电压 - 测试:2V *额定电流:68mA 噪声系数:0.62dB 电流 - 测试:15mA *功率 - 输出:125mW *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET *频率:12GHz *增益:13.7dB *电压 - 测试:2V *额定电流:15mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:125mW *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量:
替代：
频率：12GHz
增益：13.7dB
电压 - 测试：2V
额定电流：15mA
功率 - 输出：125mW
电压 - 额定：4V
丝印：
外壳：
封装：4-MICRO-X
料号：JTG9-287
包装：
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可供数量:咨询
个
咨询客服
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状态： 在售
型号： NE3511S02-T1C-A复制 SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`sprice_1` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE3511S02-T1C-A' ) AND ( (`sprice_1` > 0) OR (`price` > 0) ) AND ( `gm_gys_id` > 0 ) LIMIT 1 array(19) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["gm_gys_id"]=> NULL ["num_1"]=> NULL ["sprice_1"]=> NULL ["num_2"]=> NULL ["sprice_2"]=> NULL ["num_3"]=> NULL ["sprice_3"]=> NULL ["num_4"]=> NULL ["sprice_4"]=> NULL ["num_5"]=> NULL ["sprice_5"]=> NULL ["num_6"]=> NULL ["sprice_6"]=> NULL ["num_7"]=> NULL ["sprice_7"]=> NULL } SELECT count(id) as count,`gys_id`,`zzsbh`,`price`,`gm_gys_id`,`num_1`,`sprice_1`,`num_2`,`sprice_2`,`num_3`,`sprice_3`,`num_4`,`sprice_4`,`num_5`,`sprice_5`,`num_6`,`sprice_6`,`num_7`,`sprice_7` FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NE3511S02-T1C-A' ) AND ( ((`sprice_1` > 0) ) OR ((`price` > 0) ) ) LIMIT 1
品牌： CEL复制 CEL 瑞萨电子株式会社
描述： IC AMP RF LNA 13.5DB S02
参数： 晶体管类型:HFET *频率:4GHz *增益:16dB *电压 - 测试:2V *额定电流:97mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:15mA *功率 - 输出:- *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET *频率:12GHz *增益:12.2dB *电压 - 测试:2V *额定电流:68mA 噪声系数:0.62dB 电流 - 测试:15mA *功率 - 输出:125mW *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET *频率:12GHz *增益:13.7dB *电压 - 测试:2V *额定电流:15mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:125mW *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:HFET *频率:12GHz *增益:13.5dB *电压 - 测试:2V *额定电流:70mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:- *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量:
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频率：12GHz
增益：13.5dB
电压 - 测试：2V
额定电流：70mA
功率 - 输出：-
电压 - 额定：4V
丝印：
外壳：
封装：S02
料号：JTG9-288
包装：
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3511S02-T1C-A' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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可供数量:咨询
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外壳：
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品牌： CEL复制 CEL 瑞萨电子株式会社
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外壳：
封装：M04
料号：JTG9-291
包装：
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品牌： CEL复制 CEL 瑞萨电子株式会社
描述： HJ-FET NCH 13.5DB S02
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品牌： CEL复制 CEL 瑞萨电子株式会社
描述： FET RF 30V 900MHZ 79A
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丝印：
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品牌： CEL复制 CEL 瑞萨电子株式会社
描述： FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG
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外壳：
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品牌： CEL复制 CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF FET 4V 12GHZ SOT343
参数： 晶体管类型:HFET *频率:4GHz *增益:16dB *电压 - 测试:2V *额定电流:97mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:15mA *功率 - 输出:- *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET *频率:12GHz *增益:12.2dB *电压 - 测试:2V *额定电流:68mA 噪声系数:0.62dB 电流 - 测试:15mA *功率 - 输出:125mW *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET *频率:12GHz *增益:13.7dB *电压 - 测试:2V *额定电流:15mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:125mW *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:HFET *频率:12GHz *增益:13.5dB *电压 - 测试:2V *额定电流:70mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:- *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:HFET *频率:12GHz *增益:12.5dB *电压 - 测试:2V *额定电流:88mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:14dBm *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:HFET *频率:2GHz *增益:17.5dB *电压 - 测试:2V *额定电流:60mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:11dBm *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:HFET *频率:12GHz *增益:13.5dB *电压 - 测试:2V *额定电流:70mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:- *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS *频率:900MHz *增益:22dB *电压 - 测试:7.5V *额定电流:2.1A 噪声系数:- 电流 - 测试:140mA *功率 - 输出:38.5dBm *电压 - 额定:30V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS *频率:900MHz *增益:22dB *电压 - 测试:7.5V *额定电流:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *功率 - 输出:38.6dBm *电压 - 额定:30V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET *频率:12GHz *增益:12.2dB *电压 - 测试:2V *额定电流:15mA 噪声系数:0.62dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:125mW *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量:
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参考价格:￥6.587900
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品牌： CEL复制 CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
参数： 晶体管类型:HFET *频率:4GHz *增益:16dB *电压 - 测试:2V *额定电流:97mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:15mA *功率 - 输出:- *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET *频率:12GHz *增益:12.2dB *电压 - 测试:2V *额定电流:68mA 噪声系数:0.62dB 电流 - 测试:15mA *功率 - 输出:125mW *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET *频率:12GHz *增益:13.7dB *电压 - 测试:2V *额定电流:15mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:125mW *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:HFET *频率:12GHz *增益:13.5dB *电压 - 测试:2V *额定电流:70mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:- *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:HFET *频率:12GHz *增益:12.5dB *电压 - 测试:2V *额定电流:88mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:14dBm *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:HFET *频率:2GHz *增益:17.5dB *电压 - 测试:2V *额定电流:60mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:11dBm *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:HFET *频率:12GHz *增益:13.5dB *电压 - 测试:2V *额定电流:70mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:- *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS *频率:900MHz *增益:22dB *电压 - 测试:7.5V *额定电流:2.1A 噪声系数:- 电流 - 测试:140mA *功率 - 输出:38.5dBm *电压 - 额定:30V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS *频率:900MHz *增益:22dB *电压 - 测试:7.5V *额定电流:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *功率 - 输出:38.6dBm *电压 - 额定:30V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET *频率:12GHz *增益:12.2dB *电压 - 测试:2V *额定电流:15mA 噪声系数:0.62dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:125mW *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET *频率:12GHz *增益:13.7dB *电压 - 测试:2V *额定电流:15mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:125mW *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量:
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料号：JTG9-500
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参考价格:￥6.587900
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品牌： CEL复制 CEL 瑞萨电子株式会社
描述： RF FET 4V 20GHZ SOT343
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外壳：
封装：4-MICRO-X
料号：JTG9-599
包装：
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料号：JTG9-601
包装： 散装
参考价格:￥6.587900
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品牌： CEL复制 CEL 瑞萨电子株式会社
描述： HJ-FET NCH 13.5DB S02
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品牌： CEL复制 CEL 瑞萨电子株式会社
描述： FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM
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封装：F4TSMM，M04
料号：JTG9-637
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品牌： CEL复制 CEL 瑞萨电子株式会社
描述： FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD
参数： 晶体管类型:HFET *频率:4GHz *增益:16dB *电压 - 测试:2V *额定电流:97mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:15mA *功率 - 输出:- *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET *频率:12GHz *增益:12.2dB *电压 - 测试:2V *额定电流:68mA 噪声系数:0.62dB 电流 - 测试:15mA *功率 - 输出:125mW *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET *频率:12GHz *增益:13.7dB *电压 - 测试:2V *额定电流:15mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:125mW *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:HFET *频率:12GHz *增益:13.5dB *电压 - 测试:2V *额定电流:70mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:- *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:HFET *频率:12GHz *增益:12.5dB *电压 - 测试:2V *额定电流:88mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:14dBm *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:HFET *频率:2GHz *增益:17.5dB *电压 - 测试:2V *额定电流:60mA 噪声系数:0.4dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:11dBm *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:HFET *频率:12GHz *增益:13.5dB *电压 - 测试:2V *额定电流:70mA 噪声系数:0.3dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:- *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS *频率:900MHz *增益:22dB *电压 - 测试:7.5V *额定电流:2.1A 噪声系数:- 电流 - 测试:140mA *功率 - 输出:38.5dBm *电压 - 额定:30V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:LDMOS *频率:900MHz *增益:22dB *电压 - 测试:7.5V *额定电流:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *功率 - 输出:38.6dBm *电压 - 额定:30V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET *频率:12GHz *增益:12.2dB *电压 - 测试:2V *额定电流:15mA 噪声系数:0.62dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:125mW *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET *频率:12GHz *增益:13.7dB *电压 - 测试:2V *额定电流:15mA 噪声系数:0.5dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:125mW *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:HFET *频率:12GHz *增益:12dB *电压 - 测试:2V *额定电流:70mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:- *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 *频率:900MHz *增益:23.5dB *电压 - 测试:7.5V *额定电流:600mA 噪声系数:- 电流 - 测试:40mA *功率 - 输出:32.2dB *电压 - 额定:30V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET *频率:20GHz *增益:11.9dB *电压 - 测试:2V *额定电流:15mA 噪声系数:1.05dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:125mW *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET *频率:20GHz *增益:13.8dB *电压 - 测试:2V *额定电流:15mA 噪声系数:0.8dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:125mW *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:pHEMT FET *频率:20GHz *增益:11.9dB *电压 - 测试:2V *额定电流:15mA 噪声系数:1.05dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:125mW *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 通道 *频率:20GHz *增益:13.8dB *电压 - 测试:2V *额定电流:15mA 噪声系数:0.8dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:125W *电压 - 额定:4V 标签: 包装:散装 数量: 晶体管类型:HFET *频率:12GHz *增益:13.5dB *电压 - 测试:2V *额定电流:70mA 噪声系数:0.35dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:- *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:HFET *频率:2GHz *增益:14dB *电压 - 测试:2V *额定电流:120mA 噪声系数:0.45dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:18dBm *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量: 晶体管类型:N 沟道 GaAs HJ-FET *频率:12GHz *增益:13dB *电压 - 测试:2V *额定电流:60mA 噪声系数:0.65dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:125mW *电压 - 额定:4V 标签: 包装: 数量:
替代：
频率：12GHz
增益：13dB
电压 - 测试：2V
额定电流：60mA
功率 - 输出：125mW
电压 - 额定：4V
丝印：
外壳：
封装：M04
料号：JTG9-638
包装：
参考价格:￥6.587900
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NE3513M04-T2-A' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
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总额：
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